| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NECSOT-363 |
23400 |
08+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
3290 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-363 |
40 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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NECSOT363 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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NECSOT-363 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-363 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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NECSOT363 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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NECSOT363 |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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NECSOT-363 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSOT-523 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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NECSOT-363 |
36800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
13980 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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NECSOT-363 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-363SONA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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NECSOT-363 |
354000 |
22+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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RENESASSOT-363 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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NECSOT-363 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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UPA808T图片
UPA808T-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA808T制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
UPA808T-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA808TC制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA808TCT1制造商:NEC/CEL 功能描述:New
UPA808T-T1制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
UPA808T-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
