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深圳市汇莱威科技有限公司

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RENESAS/瑞萨SOT363

7906200

深圳市航宇科工半导体有限公司

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NECSOT363

600000

22+

航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!

深圳市纳艾斯科技有限公司

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NECSOT363

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市科创腾达科技有限公司

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NECSC70-6

8888888

21+

原装正品现货/订货 价格优惠可开票

易创佳业科技(深圳)有限公司

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NECSOT-363

6000

23+

原装正品,支持实单

深圳市华睿芯科技有限公司

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NECSC70-6

20000

23+

原厂原装正品现货

千层芯半导体(深圳)有限公司

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CEL原厂原封

1000

17+

原装正品

深圳市永贝尔科技有限公司

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CEL原厂原包

19960

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只做进口原装 终端工厂免费送样

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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RENESAS/瑞萨NA/

7850

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原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市莱克讯科技有限公司

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NECSOT-23

25689

2017+

深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

深圳市博浩通科技有限公司

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NECSOT363

4000

23+

全新原装

深圳好佳好科技有限公司

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NEC原装假一赔十

12000

1305+

公司特价原装现货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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NECSOT363

49000

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市天成基业科技有限公司

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NECSOT-363

9500

20+/21+

全新原装现货

深圳市吉中创电子科技有限公司

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RENESAS/瑞萨SOT363

10800

23+

只做原装 欢迎咨询

深圳市华博特电子有限公司

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UTCSOT363

6000

23/22+

20年老代理.原厂技术支持

深圳市振宏微科技有限公司

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SOT-363NA

15659

23+

振宏微专业只做正品,假一罚百!

深圳市华斯顿科技有限公司

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NECSot-363

34483

22+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳深宇韬电子科技有限公司

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NECSOT363

8800

2023+

正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

深圳市科恒伟业电子有限公司

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NECSOT363

98215

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只要网上有绝对有货!只做原装正品!

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UPA806制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

UPA806T功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

UPA806T(6P^MM)制造商:Renesas Electronics Corporation

UPA806T-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

UPA806T-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

UPA806T-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel