选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SC706 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NECSC70-6 |
3500 |
2016+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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NECSOT-363 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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-NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NECSOT363 |
86500 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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NECSOT-363SC |
56787 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90250 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VBSEMI/台湾微碧SC-88 |
17585 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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NECSOT-363 |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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NECSC70-6 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NECSC70-6 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SC-88 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SC-88 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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RENESASSOT363 |
32568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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NECSC70-6 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT363 |
38598 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NECSOT-363/SOT-323-6 |
24200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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NECSC706 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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NECNA |
1980 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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UPA679TB价格:¥0.4550品牌:NEC
生产厂家品牌为NEC的UPA679TB多少钱,想知道UPA679TB价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA679TB批发价格及采购报价,UPA679TB销售排行榜及行情走势,UPA679TB报价。
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更多UPA679TB-T1-A功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA679TB-T2-A功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR