| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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NECSOT-363 |
6000 |
原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESASSOT23 |
52922 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESASSOT23 |
48654 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT363 |
7906200 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
9000 |
21+ |
保证原装正品深圳现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
3250 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市蓝格佳电子有限公司13年
留言
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SC70-6 |
700 |
12+ |
原装正品现货 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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RENESASSOT363 |
30000000 |
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原装进口中国百强元器件分销企业 专注RENESAS十年 公司大量RENESAS现货 欢迎您的咨询 百年不变 服务至上 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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NECNA |
5556 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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NECSC70-6 |
1800 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT-363 |
5070 |
22+ |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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NECSOT-363 |
6000 |
2010+ |
绝对原装自己现货 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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NECSC70-6 |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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NECSOT-363 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
90000 |
20+ |
全新原装正品现货/价格合适 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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NECSOT-363 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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NECSOT363 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
UPA672T采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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UPA672T资讯
UPA672T
UPA672T，全新原装现货当天发货0755-82732291或门市自取
UPA672T中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA672T制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
UPA672T-T1-A功能描述:MOSFET DL N-CH 50V SC-88 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA672T-T2-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
