选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
25000 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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45000 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
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UPA606T-T2-A中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA606T-T2-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR