| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NECSOT23-6 |
3000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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NECSOT-163 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NECSOT23-6 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTSC59 |
6000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NECSOT23-6 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NECSOT23-6 |
3000 |
21+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTSC59 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
6250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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NECSOT23-6 |
6000 |
21+ |
全新原装 公司现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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NECSOT23-6 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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NECSOT23-6 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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NECSOT23-6 |
10800 |
23+ |
只做原装 欢迎咨询 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-163NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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NECSOT23-6 |
13598 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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NECSOT23 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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NECSOT23-6 |
3000 |
2023+ |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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NECSOT23 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-163 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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UPA603T价格
UPA603T价格：￥0.4550品牌：NEC
生产厂家品牌为NEC的UPA603T多少钱，想知道UPA603T价格是多少？参考价：￥0.4550。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，UPA603T批发价格及采购报价，UPA603T销售排行榜及行情走势，UPA603T报价。
UPA603T-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA603T-T1-A功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA603T-T2-A功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
