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深圳市金华微盛电子有限公司

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NECSOT163

30000

2019+

原厂渠道,提供技术支持

深圳市正纳电子有限公司

11年 留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装

32078

23+

10年以上分销商,原装进口件,服务型企业

深圳市正纳电子有限公司

7年 留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装

32078

ROHS环保

十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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NECSOT23-6

9000

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    谢先生(本公司为一般纳税人,可开13%增值税发票,请放心采购)

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NECSC-59-6

6000

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳诚思涵科技有限公司

9年 留言
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NECSOT163

12000

16+

进口原装现货/价格优势!

深圳市卓越微芯电子有限公司

10年 留言
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NECSOT23-6

18600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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NECSOT163

12000

04+

原装正品 可含税交易

深圳市旺财半导体有限公司

4年 留言
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NECSOT163

35680

23+

只做进口原装QQ:373621633

深圳市广弘电子有限公司

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    深圳市龙华区福城街道新和社区田茜路4号515

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NECSOT-163

5500

20+

代理库存,房间现货,有挂就是现货

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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NECCAN

1560

23+

优势库存

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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    深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

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UPA606T-T1

NECSOT163

45000

23+

1+
:¥0.888

热卖优势现货

深圳市坤融电子科技有限公司

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NECSOT23-6

8950

2019+全新原装正品

BOM配单专家,发货快,价格低

深圳市亿联芯电子科技有限公司

13年 留言
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    18138401919 十三年信誉只做原装正品

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    吴经理

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NECSOT23-6

31000

2023+

1+
:¥3.6

一级代理优势现货,全新正品直营店

上海市鑫鸿达电子

13年 留言
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NEC

15000

2022+

全新原装 货期两周

深圳市威尔健半导体有限公司

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NECSOT23-6

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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NECSOT-163

50000

2023+

原装现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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NECSOT23-6

98215

1742+

只要网上有绝对有货!只做原装正品!

深圳市威尔健半导体有限公司

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NECSOT23-6

2838

23+

深圳市正纳电子有限公司

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Renesas(瑞萨)NA

20094

23+

1+
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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生产厂家品牌为NEC的UPA603T多少钱,想知道UPA603T价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA603T批发价格及采购报价,UPA603T销售排行榜及行情走势,UPA603T报价。

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UPA600T(T1-A)制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SC-74 T/R

UPA601T(T1-A)制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape

UPA602T-T1-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

UPA602T-T2-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

UPA603T-T1-A功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

UPA603T-T2-A功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

UPA604T(T1-A)制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape

UPA606T制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING

UPA606T-T1-A功能描述:MOSFET DL N-CH 50V 100MA SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

UPA606T-T2-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR