| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSOIC-8 |
12000 |
23+ |
原装正品现货询价有惊喜 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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TI(德州仪器)SOP-8 |
959 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
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TIMSOP-8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市联成美业电子有限公司年
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78900 |
22+ |
询价15919799957 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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TI/德州仪器MSOP-PowerPAD-8 |
2900 |
23+ |
强势库存!绝对原装公司现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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TI/德州仪器SOIC8 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
2438 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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TI/德州仪器SOP-8 |
2793 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSOIC-8 |
12000 |
23+ |
原装正品现货询价有惊喜 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
2669 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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TI/德州仪器na |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TISOP-8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市联成美业电子有限公司年
留言
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78900 |
22+ |
询价15919799957 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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TISOIC8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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TISOIC8 |
56371 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
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TI(德州仪器)PowerPad-MSOP-8 |
711 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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TISSOIC8 |
2000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
9865 |
23+/24+ |
主营TI/德州仪器.原包原盒.支持实单 |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
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TISOP8 |
6000 |
17+ |
保证原装正品!优势渠道供应 |
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深圳市耿芯泰电子科技有限公司1年
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TISOP8 |
8400 |
2022 |
原装正品 现货实单可谈 |
UCC27425D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
UCC27425D图片
UCC27425DGN价格
UCC27425DGN价格：￥6.6871品牌：TI
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UCC27425DR资讯
UCC27425DR
原装代理
UCC27425DR中文资料Alldatasheet PDF
更多UCC27425D功能描述:功率驱动器IC Dual 4-A with Enable RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
UCC27425DG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4-A with Enable RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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产品属性
- 产品编号：
UCC27425D
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4V ~ 15V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
- 输入类型：
反相，非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，15ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
