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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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TI/德州仪器SOP-8

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TI(德州仪器)SOP-8

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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深圳市雅芯通科技有限公司

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TI(德州仪器)SOP-16

2669

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深耕行业12年,可提供技术支持。

千层芯半导体(深圳)有限公司

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Texas InstrumentsSOIC-8

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深圳市雅芯通科技有限公司

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TI/德州仪器na

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UCSMD

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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9852

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深圳兆威电子有限公司

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UCCSOP8

90000

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深圳市兴灿科技有限公司

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UCSOP8

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深圳市兴灿科技有限公司

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深圳市品优时代科技有限公司

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TI

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43444+

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深圳市芯祺盛科技有限公司

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深圳赋能华科电子有限公司

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UC3715D价格:¥8.8288品牌:TI

生产厂家品牌为TI的UC3715D多少钱,想知道UC3715D价格是多少?参考价:¥8.8288。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UC3715D批发价格及采购报价,UC3715D销售排行榜及行情走势,UC3715D报价。

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UC3715D功能描述:功率驱动器IC Complementary Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3715DG4功能描述:功率驱动器IC Complementary Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3715DP功能描述:功率驱动器IC Complementary Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3715DPG4功能描述:功率驱动器IC Complementary Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3715DPTR制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:Dual Peripheral Driver

UC3715DTR功能描述:功率驱动器IC Complementary Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3715DTRG4功能描述:功率驱动器IC Complementary Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    UC3715D

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    7V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    500mA,1A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    30ns,25ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC