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深圳市高捷芯城科技有限公司

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UC3705D

TI(德州仪器)SOP-8

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深圳市安富世纪电子有限公司

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UC3705D

TISOP28

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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Texas InstrumentsSOIC-8

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原装正品现货询价有惊喜

深圳市安富世纪电子有限公司

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TISOP28

65568

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代理授权直销,原装现货,长期稳定供应

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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Texas InstrumentsSOIC-8

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原装正品现货询价有惊喜

中天科工半导体(深圳)有限公司

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UC3705D

UC3705D

Texas InstrumentsNA

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:¥1.888

TI优势主营型号-原装正品

深圳市特顺芯科技有限公司

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TISOP-8

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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TI/TEXAS原厂封装

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深圳市富安睿科技有限公司

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UCSOP

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绝对原裝现货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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TI原装主营-可开原型号增税票

深圳市福安瓯科技有限公司

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TISOP8

2500

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强调现货,随时查询!

深圳市芯祺盛科技有限公司

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TI/德州仪器SOIC

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向鸿专营TI ADI,代理渠道可订货

深圳市远进半导体有限公司

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TISOP8

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3月31原装,微信报价

深圳市中联芯电子有限公司

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TI/德州仪器SOP8

7268

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全新进口原装现货/一手货源价格优势

深圳好佳好科技有限公司

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TISOP-8

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绝对原装进口现货可开17%增值税发票

深圳市瑞浩芯科技有限公司

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TISOP8

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全新原装现货,假一赔十

深圳市易讯博科技有限公司

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NA

422

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深圳市英卓尔科技有限公司

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TISOP

2960

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深圳市毅创腾电子科技有限公司

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UCSMD

3700

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绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!

深圳市博正芯科技有限公司

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Texas InstrumentsNA

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生产厂家品牌为TI的UC3705D多少钱,想知道UC3705D价格是多少?参考价:¥28.0917。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UC3705D批发价格及采购报价,UC3705D销售排行榜及行情走势,UC3705D报价。

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UC3705D功能描述:功率驱动器IC Comp Hi-Speed Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3705DG4功能描述:功率驱动器IC Comp Hi-Speed Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3705DTR功能描述:功率驱动器IC Comp Hi-Speed Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UC3705DTRG4功能描述:功率驱动器IC Comp Hi-Speed Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    UC3705D

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    5V ~ 40V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    60ns,60ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC