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2362	文件：193.39 Kbytes Page：5 Pages	SWITCH-MODETRANSFORMERGUIDE CONSUMERPRODUCTS PulseoffersacompleterangeofSwitch-ModeTransformersinvarioustechnologies(slot,layerandtripleinsulationwire)usedforpowersuppliesintelevision,set-topboxes,satellitereceivers,DVDplayers,telephonechargers,andwhitegoods.Pulsealsooffersanewrangeo	pulse Pulse Electronics
2362	文件：297.87 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance 2SK2361:RDS(on)=0.9ΩMAX.(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2362:RDS(on)=1.0ΩMAX.(VGS=10	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AIC2362	文件：275.41 Kbytes Page：10 Pages	2A550k/1.1MHzSynchronousPWM/PSM	AIC AIC
AM2362N	文件：311.62 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
BU2362FV	文件：1.94774 Mbytes Page：23 Pages	ClockGeneratorforAudio/VideoEquipment	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BU2362FV	文件：57.1 Kbytes Page：2 Pages	ClockgeneratorforDVD	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BU2362FV	文件：1.17913 Mbytes Page：25 Pages	DVD-videoReferenceClockGeneratorsforAudio/VideoEquipments	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
CEH2362	文件：423.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=10V. RDS(ON)=74mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEN2362	文件：930.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,3A,RDS(ON)=80mW@VGS=10V. RDS(ON)=100mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CES2362	文件：1.035329 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CES2362	文件：428.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CHM2362PT	文件：357.18 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-59) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
D2362	文件：1.71412 Mbytes Page：58 Pages	9-INCHWINCHESTERDISKDRIVEMAINTENANCEMANUAL	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
DA2362-AL	文件：176.41 Kbytes Page：1 Pages	FlybackTransformer	COILCRAFTCoilcraft 线艺
H2362F	文件：6.63806 Mbytes Page：1044 Pages	Renesas16-BitSingle-ChipMicrocomputerH8SFamily/H8S/2300Series	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
LEVG2362-PF	文件：140.35 Kbytes Page：7 Pages	BIPOLARTYPELEDLAMPS	LIGITEKLigitek electronic 立碁電子
LHG2362-PF	文件：139.85 Kbytes Page：7 Pages	BIPOLARTYPELEDLAMPS	LIGITEKLigitek electronic 立碁電子
LHY2362-PF	文件：138.61 Kbytes Page：7 Pages	BIPOLARTYPELEDLAMPS	LIGITEKLigitek electronic 立碁電子
LPC2362	文件：881.71 Kbytes Page：57 Pages	Single-chip16-bit/32-bitMCU;upto128kBflashwithISP/IAP,Ethernet,USB2.0device/host/OTG,CAN,and10-bitADC/DAC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
LPC2362	文件：236.94 Kbytes Page：50 Pages	Single-chip16-bit/32-bitMCU;upto128kBflashwithISP/IAP,Ethernet,USB2.0device/host/OTG,CAN,and10-bitADC/DAC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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