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EMP16N04HS

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)1.6mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

NP16N04YUG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP16N04YUG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP16N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) •LowCiss:Ciss=740pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapplicati

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    TW16N04FZ

  • 功能描述:

    TRIAC|400V V(DRM)|16A I(T)RMS|TO-220AA

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更多TW16N04FZ供应商 更新时间2024-5-8 14:00:00