TTD1415B中文资料PDF规格书
TTD1415B规格书详情
Applications
• High-Power Switching
• Hammer Drivers
Features
(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A)
(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A , IB = 6 mA)
(3) Complementary to TTB1020B
产品属性
- 产品编号:
TTD1415B,S4X(S
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 描述:
TRANSISTOR NPN TO220SIS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
无锡紫光微 |
23+ |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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