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TTD1415B中文资料PDF规格书

TTD1415B
厂商型号

TTD1415B

参数属性

TTD1415B 包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANSISTOR NPN TO220SIS

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type

文件大小

176.63 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 18:30:00

TTD1415B规格书详情

Applications

• High-Power Switching

• Hammer Drivers

Features

(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A , IB = 6 mA)

(3) Complementary to TTB1020B

产品属性

  • 产品编号:

    TTD1415B,S4X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    TRANSISTOR NPN TO220SIS

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