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481	文件：38.9 Kbytes Page：1 Pages	BladeTerminal&SpecialPurposeFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
481	文件：268.73 Kbytes Page：1 Pages	ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES [KEYSTONE] ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES FERRULES HANDLEMOUNTINGSCREWS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
481	文件：130.13 Kbytes Page：6 Pages	3M??PreservationSealingTape481	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
481	文件：150.46 Kbytes Page：3 Pages	HCMOS/TTLOutput	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
481Q	文件：49.84 Kbytes Page：2 Pages	3M??Wetordry??PolishingPaper	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
ACPL-P481	文件：230.72 Kbytes Page：9 Pages	InvertedLogic,HighCMROptocouplerforIntelligentPowerModulesandIGBT/MOSFETGateDrive	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
ACPL-P481	文件：480.57 Kbytes Page：10 Pages	InvertedLogic,HighCMROptocouplerforIntelligentPowerModulesandIGBT/MOSFETGateDrive	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
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AND481GST	文件：396.67 Kbytes Page：4 Pages	LiquidCrystalDisplays	PURDYPurdy Electronics Corporation 审慎电子	PURDY
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BA481	文件：39.23 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierDiodes SchottkyBarrierDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BA481	文件：33.28 Kbytes Page：5 Pages	UHFmixerdiode DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodeencapsulatedinahermetically-sealedsubminiatureSOD68(DO-34)glasspackage.Thediodeissuitableformountingona2E(5.08mm)pitch. FEATURES •Lowforwardvoltage •Hermetically-sealedleadedglasspackage •Lowdiodecapacitance. APPLICATIO	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS481	文件：53.43 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifieratcollectorcurrentsfrom0.5to12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifieratcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.4dBat900MHz •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFS481	文件：60.19 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage •Fororientationinreelseepackageinformationbelow •Ea	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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更多TS481IDT供应商更新时间2024-6-1 9:00:00

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