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TRS8A65F	文件：271.55 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TRS8A65F,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-2 整包类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
ITK8A65W	文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K8A65D	文件：1.10623 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK8A65D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK8A65D	文件：218.06 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.7Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK8A65W	文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK8A65W	文件：316.36 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.53Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.3mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TRS8A65C	文件：154.29 Kbytes Page：5 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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更多TRS8A65F供应商更新时间2024-6-8 10:33:00

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