| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSOIC-8 |
90000 |
23+ |
原装现货实单必成 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TISOP8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Texas Instruments8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
27490 |
24+ |
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PMIC电源管理芯片-原装正品 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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TISOIC (D) |
6000 |
22+ |
原厂原装,价格优势!13246658303 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
5000 |
21+ |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TI/TEXAS原厂封装 |
8931 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
880000 |
13+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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TISOIC |
10000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
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深圳市芯泽盛世科技有限公司2年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
8880 |
22+ |
原装认准芯泽盛世！ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
9990 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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TI表面贴装型 |
24848 |
23+ |
确保原装正品,一站式BOM配单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
25000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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TI-德州仪器SOP-8.贴片 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOP-8 |
354000 |
22+ |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOIC8 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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TISOIC |
30000 |
22+ |
原装正品 |
TPS2836DR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
TPS2836DR图片
TPS2836DR中文资料Alldatasheet PDF
更多TPS2836DR功能描述:功率驱动器IC Non-inv Fast Sync Buck MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TPS2836DRG4功能描述:功率驱动器IC Non-inv Fast Sync Buck MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
TPS2836DR
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 15V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2.7A，2.4A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
50ns，40ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
