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AN2331	文件：831.02 Kbytes Page：24 Pages	Thisnotedescribestheperformances	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AP2331	文件：242.36 Kbytes Page：11 Pages	0.2ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDLOADSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP2331GN-HF	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline,SurfaceMountDevice	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2331TD	文件：746.34 Kbytes Page：11 Pages	0.2ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDLOADSWITCHWITHOUTPUTTRANSIENTDISCHARGE Features QuickTurn-offofOutputDischargePathatPowerDown InputVoltageRange:2.7Vto5.2V FastShort-CircuitResponseTime 0.4AAccurateCurrentLimiting 250mΩOn-Resistance Reverse-CurrentBlocking Built-InSoft-Startwith0.7msTypicalTurn-OnTime Over-CurrentPro	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP2331W	文件：242.36 Kbytes Page：11 Pages	0.2ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDLOADSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BL-B2331E	文件：1.00341 Mbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) Notes:1.AllDimensionsareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(.010²)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-B2331M	文件：1.00341 Mbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) Notes:1.AllDimensionsareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(.010²)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-BU2331M	文件：1.5053 Mbytes Page：4 Pages	ULTRABRIGHTLEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-R2331T	文件：178.85 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(RECTANGULARTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-R2331T	文件：151.71 Kbytes Page：2 Pages	GaP/GaPGreenLowpowerconsumption.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BPT-BP2331	文件：105.88 Kbytes Page：3 Pages	LED	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BPT-BP2331	文件：395.52 Kbytes Page：1 Pages	SILICONPHOTOTRANSISTOR APPLICATIONS ●RemoteControl,●PhotoDetector,●SmokeDetector,●AutomaticControlSystem●OpticalEncoder ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25) ●Collector-to-EmitterSaturationVoltageVce(SAT).(Ib=100uA)/Ic=2mA.........0.4V(Max.) ●Emitter-to-collectorBreakdownVoltage(BVeco)......	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
C2331	文件：51.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220package •Complementtotype2SA1008 •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed APPLICATIONS •Switchingregulators •DC/DCconverters •Highfrequencypoweramplifiers	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
C2331Y	文件：81.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNLOWFREQUENCYAMPLIFIERMEDIUMSPEEDSWITCHING) LOWFREQUENCYAMPLIFIERMEDIUMSPEEDSWITCHING •ComplementtoKSA931 •HighCollector-BaseVoltageVcso=80V •CollectorCurrentIc=700mA •CollectorDisslpationPc=1W	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
CEH2331	文件：679.46 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-5.2A,RDS(ON)=48mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=-2.5V. RDS(ON)=78mW@VGS=-1.8V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH2331	文件：434.14 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-5.2A,RDS(ON)=48mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=-2.5V. RDS(ON)=78mW@VGS=-1.8V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSOP-6package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEH2331A	文件：541.08 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-5.5A,RDS(ON)=42mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant. RDS(ON)=75mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2331	文件：484.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-4.2A,RDS(ON)=48mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=78mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2331	文件：1.05083 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2331	文件：394.76 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-4.2A,RDS(ON)=48mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mΩ@VGS=-2.5V. RDS(ON)=78mΩ@VGS=-1.8V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

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产品属性

产品编号：
TPS2331IDR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 热插拔控制器
包装：
卷带（TR）
类型：
热插拔控制器
内部开关：
无
应用：
通用
特性：
闭锁故障，UVLO
可编程特性：
断路器，故障超时，压摆率
电压 - 供电：
3V ~ 13V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
IC HOT SWAP CTRLR GP 14SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	TPS2331IDR		13384	SOT23-6	4	美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	TPS2331IDR	Texas Instruments	24+	14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	25000	PMIC电源管理芯片-原装正品	询价
深圳市君亿电子科技有限公司	TPS2331IDR	TI	21+	14-SOIC	23660	TI/TMS系列,代理原装正品,假一赔十	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	TPS2331IDR	Texas Instruments	23+	SOIC-14	90000	原装现货实单必成	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	TPS2331IDR	TI(德州仪器)	23+	SOP-14	6825	百分百原装正品,可原型号开票	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	TPS2331IDR	TI/TEXAS	23+	原厂封装	8931		询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	TPS2331IDR	TexasInstruments	2022	ICDUALHOTSWAPPWRCONT14-S	3268	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市一线半导体有限公司	TPS2331IDR	TI	03+	SOP	772		询价

更多TPS2331IDR供应商更新时间2024-5-29 14:02:00

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