TPCP8701中文资料PDF规格书
厂商型号 |
TPCP8701 |
参数属性 | TPCP8701 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列;产品描述:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
文件大小 |
217.55 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
中文名称 | 株式会社東芝官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-18 15:26:00 |
TPCP8701规格书详情
Portable Equipment Applications
Switching Applications
Inverter Lighting Applications
• Small footprint due to small and thin package
• High DC current gain : hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)
• Low collector-emitter saturation : VCE (sat) = 0.14 V (max)
• High-speed switching : tf = 120 ns (typ.)
产品属性
- 产品编号:
TPCP8701(TE85L,F,M
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
3A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
80V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
140mV @ 20mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
400 @ 300mA,2V
- 功率 - 最大值:
1.77W
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
PS-8
- 描述:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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