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TPC8106-H	文件：512.96 Kbytes Page：7 Pages	SILICON P CHANNEL MOS TYPE HighSpeedandHighEfficiencyDC−DCConverters LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications Smallfootprintduetosmallandthinpackage Highspeedswitching Smallgatecharge:Qg=52nC(typ.) Lowdrain−sourceONresista	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
8106	文件：161.75 Kbytes Page：2 Pages	TsunamiDetectionSystem	SONARDYNESonardyne sound in depth Sonardyne sound in depth	SONARDYNE
8106	文件：393.44 Kbytes Page：1 Pages	MARCREMOVABLEPINSOCKETCONTACTS	WinchesterWinchester Electronics 温彻斯特温彻斯特电子	Winchester
8106	文件：365.47 Kbytes Page：2 Pages	LowCapacitanceforEIARS-232andEIARS-422Applications	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
8106	文件：204.28 Kbytes Page：2 Pages	RS232/422LowCap,#24-6pr,FPO,O/AFoilBraid,PVCJkt,CM,100Ω ProductDescription ComputerEIARS-232/422Cable,24AWGstranded(7x32)tinnedcopperconductors,Datalene®insulation,twistedpairs,overallBeldfoil®(100coverage)+ tinnedcopperbraidshield(65coverage),24AWGstrandedtinnedcopperdrainwire,PVCjacket.	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
8106-RC	文件：103.77 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductors(withOptionalHeader)Dielectricstrength:1500Vrms	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
8106SB	文件：393.44 Kbytes Page：1 Pages	MARCREMOVABLEPIN&SOCKETCONTACTS	WinchesterWinchester Electronics 温彻斯特温彻斯特电子	Winchester
AD8106	文件：571.01 Kbytes Page：28 Pages	260MHz,16횞5BufferedVideoCrosspointSwitches GENERALDESCRIPTION TheAD8106andAD8107arehighspeed,16×5videocrosspointswitchmatrices.Theyoffera−3dBsignalbandwidthgreaterthan260MHz,andchannelswitchtimesoflessthan25nswith1settling.With−78dBofcrosstalkand−97dBisolation(@5MHz),theAD8106/AD8107are	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8106	文件：416.87 Kbytes Page：22 Pages	VideoCrosspointSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8106ASTZ	文件：416.87 Kbytes Page：22 Pages	VideoCrosspointSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8106ASTZ	文件：571.01 Kbytes Page：28 Pages	260MHz,16횞5BufferedVideoCrosspointSwitches GENERALDESCRIPTION TheAD8106andAD8107arehighspeed,16×5videocrosspointswitchmatrices.Theyoffera−3dBsignalbandwidthgreaterthan260MHz,andchannelswitchtimesoflessthan25nswith1settling.With−78dBofcrosstalkand−97dBisolation(@5MHz),theAD8106/AD8107are	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8106-EB	文件：571.01 Kbytes Page：28 Pages	260MHz,16횞5BufferedVideoCrosspointSwitches GENERALDESCRIPTION TheAD8106andAD8107arehighspeed,16×5videocrosspointswitchmatrices.Theyoffera−3dBsignalbandwidthgreaterthan260MHz,andchannelswitchtimesoflessthan25nswith1settling.With−78dBofcrosstalkand−97dBisolation(@5MHz),theAD8106/AD8107are	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8106	文件：1.91738 Mbytes Page：26 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,18GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 18GHzto54GHz.Allthetypicallyrequiredexternalpassive componentsforope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8106ACEZ	文件：1.91738 Mbytes Page：26 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,18GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 18GHzto54GHz.Allthetypicallyrequiredexternalpassive componentsforope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8106CHIPS	文件：2.57045 Mbytes Page：28 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,20GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 20GHzto54GHz.TheADL8106providesagainof21.5dB,an outputpowerfor1	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8106CHIPS-SX	文件：2.57045 Mbytes Page：28 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,20GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 20GHzto54GHz.TheADL8106providesagainof21.5dB,an outputpowerfor1	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8106-EVALZ	文件：1.91738 Mbytes Page：26 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,18GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 18GHzto54GHz.Allthetypicallyrequiredexternalpassive componentsforope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BY8106	文件：54.58 Kbytes Page：10 Pages	Veryfasthigh-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C8106	文件：25.32 Kbytes Page：1 Pages	TinnedCopperconductor,FEPInsulation,conductorscabled,overallfoilshiedandFEPJacketedPlenumCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CMT-8106	文件：89.42 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductors	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD

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详细参数

型号：
TPC8106-H
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
SILICON P CHANNEL MOS TYPE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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