| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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TOSHIBA-东芝VS-6 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Toshiba Semiconductor and StorSOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
9350 |
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TPC6503(TE85L,F,M)图片
TPC6503(TE85L,F,M)中文资料Alldatasheet PDF
更多TPC6503(TE85L,F,M)功能描述:MOSFET NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
TPC6503(TE85L,F,M)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
U-MOSVII
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
120mV @ 10mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 150mA，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：
VS-6（2.9x2.8）
- 描述：
TRANS NPN 30V 1.5A VS-6
