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TP5322N8-G	文件：306.65 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeanadvancedverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP5322N8-G	文件：516.86 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP5322N8-G	文件：686.91 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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详细参数

型号：
TP5322N8-G
功能描述：
MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TP5322N8-G	Microchip Technology	24+	TO-243AA(SOT-89)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	TP5322N8-G	MICROCHIP/微芯	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多TP5322N8-G供应商更新时间2024-6-9 14:14:00

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