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TOM9250	文件：46.08 Kbytes Page：1 Pages	VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
TOM9250	文件：47.02 Kbytes Page：1 Pages	Voltage Controlled Oscillator	APITECH API Technologies Corp	APITECH
9250A	文件：248.87 Kbytes Page：2 Pages	MoldedAxialInductor	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AD9250	文件：1.44605 Mbytes Page：45 Pages	DualAnalog-to-DigitalConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9250	文件：1.18143 Mbytes Page：44 Pages	14-Bit,170MSPS/250MSPS,JESD204B,DualAnalog-to-DigitalConverter GENERALDESCRIPTION TheAD9250isadual,14-bitADCwithsamplingspeedsofupto250MSPS.TheAD9250isdesignedtosupportcommunicationsapplicationswherelowcost,smallsize,widebandwidth,andversatilityaredesired. FEATURES JESD204BSubclass0orSubclass1codedserialdigital	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AH9250	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH9250-P-B	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BXO9250	文件：47.02 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledOscillator	APITECH API Technologies Corp	APITECH
FRF9250D	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250H	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250R	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250D	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250H	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250R	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250D	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250R	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
GBS-9250G	文件：84.56 Kbytes Page：4 Pages	5V/1550nm/2.5Gb/sSignle-ModeGigabitInterfaceConverter(GBIC)	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
IRH9250	文件：163.81 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.315ohm,Id=-14A) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffects	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
TOM9250
制造商：
SPECTRUM
制造商全称：
Spectrum Microwave, Inc.
功能描述：
VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TOM9250供应商更新时间2024-5-29 14:51:00

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