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TLV2362IPSR	文件：489.82 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2362IPSR	文件：1.35189 Mbytes Page：23 Pages	HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLV2362IPSRE4	文件：489.82 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
2362	文件：193.39 Kbytes Page：5 Pages	SWITCH-MODETRANSFORMERGUIDE CONSUMERPRODUCTS PulseoffersacompleterangeofSwitch-ModeTransformersinvarioustechnologies(slot,layerandtripleinsulationwire)usedforpowersuppliesintelevision,set-topboxes,satellitereceivers,DVDplayers,telephonechargers,andwhitegoods.Pulsealsooffersanewrangeo	pulse Pulse Electronics	pulse
2362	文件：297.87 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance 2SK2361:RDS(on)=0.9ΩMAX.(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2362:RDS(on)=1.0ΩMAX.(VGS=10	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
AIC2362	文件：275.41 Kbytes Page：10 Pages	2A550k/1.1MHzSynchronousPWM/PSM	AIC AIC	AIC
AM2362N	文件：311.62 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
BU2362FV	文件：1.94774 Mbytes Page：23 Pages	ClockGeneratorforAudio/VideoEquipment	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU2362FV	文件：57.1 Kbytes Page：2 Pages	ClockgeneratorforDVD	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BU2362FV	文件：1.17913 Mbytes Page：25 Pages	DVD-videoReferenceClockGeneratorsforAudio/VideoEquipments	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CEH2362	文件：423.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=10V. RDS(ON)=74mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2362	文件：930.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,3A,RDS(ON)=80mW@VGS=10V. RDS(ON)=100mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2362	文件：1.035329 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2362	文件：428.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM2362PT	文件：357.18 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-59) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
D2362	文件：1.71412 Mbytes Page：58 Pages	9-INCHWINCHESTERDISKDRIVEMAINTENANCEMANUAL	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
DA2362-AL	文件：176.41 Kbytes Page：1 Pages	FlybackTransformer	COILCRAFTCoilcraft 线艺	COILCRAFT
H2362F	文件：6.63806 Mbytes Page：1044 Pages	Renesas16-BitSingle-ChipMicrocomputerH8SFamily/H8S/2300Series	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
LEVG2362-PF	文件：140.35 Kbytes Page：7 Pages	BIPOLARTYPELEDLAMPS	LIGITEKLigitek electronic 立碁電子	LIGITEK
LHG2362-PF	文件：139.85 Kbytes Page：7 Pages	BIPOLARTYPELEDLAMPS	LIGITEKLigitek electronic 立碁電子	LIGITEK

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详细参数

型号：
TLV2362IPSR
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual High-Perf Low-Voltage
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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