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BFP181TW	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC andWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP181W	文件：59.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP181W	文件：118.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181	文件：78.35 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181	文件：57.03 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFR181	文件：619.16 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181T	文件：68.3 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR181T	文件：70.57 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181TF	文件：171.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditionto	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR181TW	文件：68.3 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR181W	文件：56.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor)Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFR181W	文件：79.53 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •EasytousePb-free(RoHScompliant)andhalogenfreeindustrystandardpackagewithvisibleleads •Qualificationreport	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181W	文件：672.64 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY181	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY181	文件：121.95 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.2dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFY181	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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