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K50P03M1

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

TK50P03M1

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK50P03M1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

TK50P03M1

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

TK50P03M1

High-EfficiencyDC-DCConverterApplicationsDesktopPCApplications

Features (1)High-speedswitching (2)Lowgatecharge:QSW=8.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=5.8mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) (5)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10V,ID=0.2mA) Applications •Swi

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    TK50P03M1(T6RSS-Q)

  • 功能描述:

    MOSFET N-ch 30V 50A DP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多TK50P03M1(T6RSS-Q)供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00