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ITK30E06N1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

TK30E06N1

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

TK30E06N1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

TK30E06N1

SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    TK30E06N1,S1X

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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更多TK30E06N1,S1X供应商 更新时间2024-6-14 8:23:00