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TIP32AG	文件：123.98 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.2Vdc(Max)@IC=3.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc(Min)−TIP31,TIP32 =60Vdc(Min)−TI	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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TIP32AG

文件：123.98 Kbytes

Page：6 Pages

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.2Vdc(Max)@IC=3.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc(Min)−TIP31,TIP32 =60Vdc(Min)−TI

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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Page：7 Pages

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

TIP32AG

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：散装封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
TIP32AG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 60V 3A TO220

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