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LTC2955	文件：1.32594 Mbytes Page：22 Pages	MicropowerHotSwapController	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC2955	文件：1.37825 Mbytes Page：22 Pages	100VUV/OVandReverseProtectionControllerwithBidirectionalCircuitBreaker	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MJ2955	文件：114.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ2955	文件：336.47 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingandAmplifierApplications 2N3055NPN MJ2955PNP	CDIL CDIL	CDIL
MJ2955	文件：92.97 Kbytes Page：7 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJ2955	文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJ2955	文件：174.38 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS115WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
MJ2955	文件：493.29 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJ2955	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ2955	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ2955	文件：112.9 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955 ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ2955	文件：112.3 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·ExcellentSafeOperatingArea ·DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=-4A ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.1V(Max)@IC=-4A ·ComplementtoType2N3055 APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ2955	文件：64.66 Kbytes Page：1 Pages	PNPPLANARSILICONTRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER HighCurrentCapability HighPowerDissipation ComplementarytoMJ3055	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components	WINGS
MJ2955	文件：167.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,50V,115W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MJ2955	文件：130.46 Kbytes Page：4 Pages	15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJ2955A	文件：235.85 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJ2955A	文件：193.88 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(15A) 2N3055A(NPN) MJ15015(NPN) MJ2955A(PNP) NJ15016(PNP)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MJ2955A	文件：200.74 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS 2N3055A,MJ15015-->NPN MJ15016,MJ2955A-->PNP 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR 60,120VOLTS 115,180WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
MJ2955A	文件：256.04 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ2955A	文件：309.23 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS 2N3055A,MJ15015-->NPN MJ15016,MJ2955A-->PNP 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR 60,120VOLTS 115,180WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
TIP2955-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
SOT-93
描述：
TRANS PNP 60V 15A SOT93

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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