Darlington Complementary Silicon Power Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

Features

• High DC Current Gain −

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 4.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131

= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc

= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

TIP132G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的TIP132G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。