选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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TRIQUINT晶体管 |
1210 |
17+ |
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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TriquintSMD |
1680 |
2018+ |
Triquint专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
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TRIQUINT |
638 |
原装正品 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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TriquintSMD |
1680 |
2018+ |
Triquint专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
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TriQuintNA |
3000 |
16+ |
全新进口原装 |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
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TriQuint原厂原包 |
6850 |
2308+ |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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TriquintSMD |
1680 |
2018+ |
Triquint专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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TGF4230-EEU中文资料Alldatasheet PDF
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TGF4230-EEU制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET
TGF4230-SCC功能描述:射频GaAs晶体管 DC-12.0GHz 0.7W HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: