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HM90N04D	文件：439.98 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS90N04D	文件：409.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
NDT90N04	文件：255.37 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelTrenchPowerMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NP90N04MDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04MUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04MUG	文件：328.12 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04MUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04MUK	文件：112.37 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ●LowCiss:Ciss=4700pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04MUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04NDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04NUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04NUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04PDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04PUF	文件：273.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP90N04PUFisN-channelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitching applications. FEATURES •Channeltemperature175°Crating •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04PUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04VDG	文件：323.07 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP90N04VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=8.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Highcurrentra	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04VDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04VDK	文件：2.30948 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NP90N04VDK	文件：273.08 Kbytes Page：8 Pages	40V–90A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N04VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多TF90N04供应商更新时间2024-6-5 18:30:00

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