TCDT1101G中文资料PDF规格书
TCDT1101G规格书详情
DESCRIPTION
The TCDT1100/TCDT1100G series consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 6-pin plastic dual inline package. The base of the phototransistor is not connected providing noise immunity. The elements are mounted on one leadframe which providing a fixed distance between input and output for highest safety requirements.
FEATURES
• Isolation test voltage 5300 VRMS
• Extra low coupling capacity - typical 0.2 pF
• High common mode rejection
• No base terminal connection for improved noise immunity
• CTR offered in 4 groups
• Thickness though insulation ≥0.75 mm
• Creepage current resistance according to VDE 0303/ IEC 60112 comparative tracking index: CTI ≥275
• Lead (Pb)-free component
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
产品属性
- 型号：
TCDT1101G
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80%
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
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NA |
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