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HCMS-2905	文件：138.16 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceCMOS5x7AlphanumericDisplays	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
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HCMS-2905	文件：329.11 Kbytes Page：17 Pages	HighPerformanceCMOS5횞7AlphanumericDisplays	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
HCMS-2905	文件：330.31 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceCMOS5x7AlphanumericDisplays	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
IIRFR2905Z	文件：335.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFR/U2905Z	文件：4.20454 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR2905	文件：212.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=14.5mΩ ID=42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFR2905ZPBF	文件：278.12 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=14.5m廓,ID=42A) VDSS=55V RDS(on)=14.5mΩ ID=42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFU2905Z	文件：212.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=14.5mΩ ID=42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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详细参数

型号：
TCD2905D
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA CCD Image Sensor CCD(charge coupled device)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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