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TC9250F	文件：300.98 Kbytes Page：9 Pages	16 BIT RESISTER STRINGS DA CONVERTER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
9250A	文件：248.87 Kbytes Page：2 Pages	MoldedAxialInductor	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AD9250	文件：1.44605 Mbytes Page：45 Pages	DualAnalog-to-DigitalConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9250	文件：1.18143 Mbytes Page：44 Pages	14-Bit,170MSPS/250MSPS,JESD204B,DualAnalog-to-DigitalConverter GENERALDESCRIPTION TheAD9250isadual,14-bitADCwithsamplingspeedsofupto250MSPS.TheAD9250isdesignedtosupportcommunicationsapplicationswherelowcost,smallsize,widebandwidth,andversatilityaredesired. FEATURES JESD204BSubclass0orSubclass1codedserialdigital	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AH9250	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH9250-P-B	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BXO9250	文件：47.02 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledOscillator	APITECH API Technologies Corp	APITECH
FRF9250D	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250H	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250R	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250D	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250H	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250R	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250D	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250R	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
GBS-9250G	文件：84.56 Kbytes Page：4 Pages	5V/1550nm/2.5Gb/sSignle-ModeGigabitInterfaceConverter(GBIC)	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
IRH9250	文件：163.81 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.315ohm,Id=-14A) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffects	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRH9250	文件：180.35 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
TC9250F
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
16 BIT RESISTER STRINGS DA CONVERTER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TC9250F	TOS		SOP5.2mm	3000		询价
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更多TC9250F供应商更新时间2024-6-17 15:30:00

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