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TC7SH08FE,LM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-553 类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE AND 1CH 2-INP ESV	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
ELM7SH08MB-EL	文件：315.16 Kbytes Page：3 Pages	HIGHSPEEDCMOSLOGICICELM7SH08xB2-inputANDgate	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
ELM7SH08TB-EL	文件：315.16 Kbytes Page：3 Pages	HIGHSPEEDCMOSLOGICICELM7SH08xB2-inputANDgate	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
ELM7SH08XB	文件：320.03 Kbytes Page：3 Pages	HIGHSPEEDCMOSLOGICIC	ELMElm Electronics ELMElm Electronics	ELM
ELM7SH08XB	文件：278.94 Kbytes Page：3 Pages	HIGHSPEEDCMOSLOGICIC2-inputANDgate	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
KIC7SH08FU	文件：247.29 Kbytes Page：3 Pages	SILICONMONOLITHICCMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUIT(2-INPUTANDGATE) TheKIC7S08FUisahighspeedC2MOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ItachieveshighspeedoperationsimilartoequivalentLSTTLwhilemaintainingtheC2MOSlowpowerdissipation.Theinternalcircuitiscomposedof2stagesincludingbufferoutput,whichenables	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TC7SH08	文件：197.09 Kbytes Page：5 Pages	2-INPUTANDGATE Features •Highspeedoperation:tpd=4.3ns(typ.)atVCC=5V,15pF •Lowpowerdissipation:ICC=2μA(max)atTa=25°C •Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) •5.5-Vtolerantinputs •Wideoperatingvoltagerange:VCC=2to5.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC7SH08F	文件：197.09 Kbytes Page：5 Pages	2-INPUTANDGATE Features •Highspeedoperation:tpd=4.3ns(typ.)atVCC=5V,15pF •Lowpowerdissipation:ICC=2μA(max)atTa=25°C •Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) •5.5-Vtolerantinputs •Wideoperatingvoltagerange:VCC=2to5.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC7SH08FE	文件：152.48 Kbytes Page：5 Pages	2InputANDGate Features •Superhighspeedoperation:tPD=4.3ns(typ.)@VCC=5V •Lowpowerdissipation:ICC=2µA(Max.)@Ta=25°C •Highnoiseimmunity:VNIH=VNIH=28VCC(Min.) •5.5Vtolerantinput. •Wideoperationvoltagerange:VCC(opr)=2~5.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC7SH08FS	文件：172.51 Kbytes Page：6 Pages	2-INPUTANDGATE Features Highspeed:tpd=4.3ns(typ.)atVCC=5V Lowpowerdissipation:ICC=2µA(max)atTa=25°C Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) 5.5Vtolerantinput. Wideoperatingvoltagerange:VCC(opr)=2~5.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC7SH08FU	文件：197.09 Kbytes Page：5 Pages	2-INPUTANDGATE Features •Highspeedoperation:tpd=4.3ns(typ.)atVCC=5V,15pF •Lowpowerdissipation:ICC=2μA(max)atTa=25°C •Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) •5.5-Vtolerantinputs •Wideoperatingvoltagerange:VCC=2to5.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
U7SH08	文件：169.33 Kbytes Page：5 Pages	2-INPUTANDGATE DESCRIPTION TheU7SH08isa2-inputANDgatewhichprovidestheFunctionY=AB.Thisdevicehaspower-downprotectivecircuit,preventingdevicedestructionwhenitispowereddown. FEATURES OperationVoltageRange:2~5.5V LowPowerCurrent:ICC=2μA(Max) HighSpeed:tPD=4.3n	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
XC7SH08	文件：202.95 Kbytes Page：11 Pages	2-inputANDgate 1.Generaldescription XC7SH08isahigh-speedSi-gateCMOSdevice.Itprovidesa2-inputANDfunction. 2.Features •Symmetricaloutputimpedance •Highnoiseimmunity •Lowpowerdissipation •CMOSinputlevels •Balancedpropagationdelays •ESDprotection: •HBMJESD22-A114E:exceeds	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
XC7SH08	文件：74.73 Kbytes Page：11 Pages	High-speedSi-gateCMOSdevice,2-inputANDfunction	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
XC7SH08GV	文件：202.95 Kbytes Page：11 Pages	2-inputANDgate 1.Generaldescription XC7SH08isahigh-speedSi-gateCMOSdevice.Itprovidesa2-inputANDfunction. 2.Features •Symmetricaloutputimpedance •Highnoiseimmunity •Lowpowerdissipation •CMOSinputlevels •Balancedpropagationdelays •ESDprotection: •HBMJESD22-A114E:exceeds	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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XC7SH08GW	文件：202.95 Kbytes Page：11 Pages	2-inputANDgate 1.Generaldescription XC7SH08isahigh-speedSi-gateCMOSdevice.Itprovidesa2-inputANDfunction. 2.Features •Symmetricaloutputimpedance •Highnoiseimmunity •Lowpowerdissipation •CMOSinputlevels •Balancedpropagationdelays •ESDprotection: •HBMJESD22-A114E:exceeds	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
XC7SH08GW	文件：74.73 Kbytes Page：11 Pages	High-speedSi-gateCMOSdevice,2-inputANDfunction	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
TC7SH08FE,LM
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
TC7SH
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
逻辑类型：
与门
输入数：
2
电压 - 供电：
2V ~ 5.5V
电流 - 输出高、低：
8mA，8mA
逻辑电平 - 低：
0.5V
逻辑电平 - 高：
1.5V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
7.9ns @ 5V，50pF
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
ESV
封装/外壳：
SOT-553
描述：
IC GATE AND 1CH 2-INP ESV

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TC7SH08FE,LM	Toshiba Semiconductor and Stor	23+	ESV	25000	in stock逻辑IC-原装正品	询价
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