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TC58NYG1S3HBAI6

NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity)

ProductlistofNANDFlashMemorySLCMiddleCapacity.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TC58NYG1S3HBAI6

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

KIOXIAKIOXIA Corporation

铠侠铠侠电子(中国)有限公司

TC58NYG1S3HBAI6

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TC58NYG1S3HBAI6

包装:散装 封装/外壳:67-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    TC58NYG1S3HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    67-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    67-VFBGA(6.5x8)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TC58NYG1S3HBAI6供应商 更新时间2024-4-29 13:31:00