| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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MICROCHIP/微芯sopdipqfp |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP-8 |
949 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
4000 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市芯泽盛世科技有限公司2年
留言
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MICROCHIPPDIP |
20000 |
22+ |
原厂微芯渠道.全新原装! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
6528 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
65800 |
专业光耦 |
光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP-8 |
9980 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP8 |
6000 |
23+ |
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万三科技(深圳)有限公司4年
留言
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微芯/麦瑞NA |
500000 |
22+ |
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万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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DIP |
5000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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MICNA |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MNA/ |
3346 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP8 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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TOSHIBADIP |
2866 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MicrochipTechnology原厂原装 |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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MICROCHIP/微芯PDIP-8 |
5000 |
20+ |
支持实单/原盒/原包/原标/进口原装 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
6528 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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Microchip Technology8-PDIP |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MICDIP-8 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
TC4431CPA采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
TC4431CPA图片
TC4431CPA价格
TC4431CPA价格：￥13.8915品牌：Microchip
生产厂家品牌为Microchip的TC4431CPA多少钱，想知道TC4431CPA价格是多少？参考价：￥13.8915。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，TC4431CPA批发价格及采购报价，TC4431CPA销售排行榜及行情走势，TC4431CPA报价。
TC4431CPA中文资料Alldatasheet PDF
更多TC4431CPA功能描述:功率驱动器IC 1.5A Sngl 30V Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
TC4431CPA
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
高压侧或低压侧
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 30V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
25ns，33ns
- 工作温度：
0°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
