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VB1240B	文件：691.78 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Lowon-resistance •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB1240X	文件：731 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB1240X	文件：733.82 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBB1240	文件：764.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
X1240	文件：74.29 Kbytes Page：19 Pages	RealTimeClock/CalendarwithEEPROM DESCRIPTION TheX1240isaRealTimeClockwithclock/calendarcircuits.Thedualportclockregisterallowstheclocktooperate,withoutlossofaccuracy,evenduringreadandwriteoperations. FEATURES •2-WireInterfaceinteroperablewithI2C. —400kHzdatatransferrate •SecondaryPo	Xicor XICOR	Xicor
XPD-MR-D1240CDA	文件：845.89 Kbytes Page：6 Pages	10Gbps120kmDWDMMultirateXFPTransceiverPreliminary	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
Z1240	文件：22.7 Kbytes Page：1 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
Z1240	文件：397.584 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
Z1240	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
Z1240A	文件：394.369 Kbytes Page：3 Pages	1W240VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
Z1240A	文件：105.77 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-300Volts PD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to300Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretarda	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
Z1240A	文件：240.45 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技	ANOVA
Z1240A-G	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	Glasspassivatedchip. ZenerVoltage:3.3to330Volts DCPower:1Watts RoHSDevice Features -Glasspassivatedchip. -Lowleakage. -Built-instrainrelief. -Lowinductance. -Highpeakreversepowerdissipation. -Foruseinstabilizingandclipping withhighpowerrating. Mechanicaldata -Case:Mol	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
Z1240C	文件：83.98 Kbytes Page：1 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:220-380Volts PD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange220to380Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretarda	EIC EIC	EIC
Z1240C	文件：118.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC

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