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T491X226K035AT	文件：1.4439 Mbytes Page：19 Pages	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
T491X226K035AT	文件：81.42 Kbytes Page：1 Pages	Tantalum, MnO2 Tantalum, T491, 22 uF, 10, 35 V, 7343, SMD, MnO2, Molded, 700 mOhms, Height Max = 4.3mm PRODUCTDESCRIPTION KEMET’sfamilyofsolidtantalumchipcapacitorsisdesignedandmanufacturedwiththedemandingrequirementsofsurfacemounttechnologyinmind. Thesedevicesextendtheadvantagesofsolidtantalumtechnologytotoday’ssurfacemountcircuitapplications.Complementingmul	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司
T491X226K035AT	文件：807.26 Kbytes Page：15 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to 2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. •TypicalSingle--Ca	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
T491X226K035AT	文件：748.8 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
T491X226K035AT	文件：948.24 Kbytes Page：19 Pages	RF Power LDMOS Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
T491X226K035AT	文件：1.10464 Mbytes Page：20 Pages	RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
T491X226K035AT	文件：1.43744 Mbytes Page：27 Pages	RF Power LDMOS Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
T491X226K035AT	文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
T491X226K035AT	文件：1.0447 Mbytes Page：19 Pages	RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
T491X226K035AT	文件：1.47981 Mbytes Page：18 Pages	RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
T491X226K035AT	文件：868.17 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
T491X226K035AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：2917（7343 公制）类别：电容器钽电容器描述：CAP TANT 22UF 10% 35V 2917	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司
T491X226K035AT24787027	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：2917（7343 公制）类别：电容器钽电容器描述：CAP TANT 22UF 10% 35V 2917	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司
T491X226K035AT4106	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：2917（7343 公制）类别：电容器钽电容器描述：CAP TANT 22UF 10% 35V 2917	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司
T491X226K035AH	文件：2.43403 Mbytes Page：24 Pages	TantalumSurfaceMountCapacitors??StandardTantalumT491SeriesIndustrialGradeMnO PRODUCTDESCRIPTION KEMET’sfamilyofsolidtantalumchipcapacitorsisdesignedandmanufacturedwiththedemandingrequirementsofsurfacemounttechnologyinmind. Thesedevicesextendtheadvantagesofsolidtantalumtechnologytotoday’ssurfacemountcircuitapplications.Complementingmul	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司
T491X226K035AS	文件：670.16 Kbytes Page：16 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
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T491X226K035AS	文件：594.33 Kbytes Page：16 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
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T491X226K035AS-F	文件：368.41 Kbytes Page：5 Pages	SolidTantalumChipCapacitorsforSurfaceMountApplications	CDE Cornell Dubilier Electronics

产品属性

产品编号：
T491X226K035AT
制造商：
KEMET
类别：
电容器 > 钽电容器
系列：
T491
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±10%
类型：
模制
ESR（等效串联电阻）：
700 毫欧
工作温度：
-55°C ~ 125°C
不同温度时使用寿命：
125°C 时为 2000 小时
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2917（7343 公制）
大小 / 尺寸：
0.287" 长 x 0.169" 宽（7.30mm x 4.30mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.169"（4.30mm）
制造商尺寸代码：
X
特性：
通用
描述：
CAP TANT 22UF 10% 35V 2917

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