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T12N10G	文件：1.01039 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
12N10	文件：1.68514 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
12N10	文件：194.56 Kbytes Page：5 Pages	12A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
12N10	文件：443.06 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	UMWUMW 友台友台半导体
12N10L	文件：1.00844 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
12N10P	文件：532.37 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,100VoltsN-CHANNELPowerMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
A12N10P	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团
A12N10PP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团
A12N10PP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BRF12N10	文件：794.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
CED12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED12N10	文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CED12N10	文件：978.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CED12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CED12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU12N10	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU12N10	文件：1.01053 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更多T12N10G供应商更新时间2024-4-28 11:30:00

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