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深圳市品优时代科技有限公司

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TPS2811DR

TISOP8

23100

2019

原装正品钻石品质假一赔十

深圳市明嘉莱科技有限公司

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TPS2811DR

TI/德州仪器SOP8

860000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市美思瑞电子科技有限公司

11年 留言
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TPS2811DR

TISMD

16944

22+

原装正品,实单请联系

深圳市吉铭电子科技有限公司

2年 留言
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TPS2811DR

TISOP

800000

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原装正品

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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TPS2811DR

Texas InstrumentsSOIC-8

90000

23+

原装现货实单必成

深圳市锦喆鸿电子有限公司

5年 留言
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TPS2811DR

TISOP8

6588

20+

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TPS2811DR

TI(德州仪器)SOP-8

2669

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深耕行业12年,可提供技术支持。

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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TPS2811DR

TISOP

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市安富世纪电子有限公司

6年 留言
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TPS2811DR

TISOP8

65568

22+

代理授权直销,原装现货,长期稳定供应

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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TPS2811DR

MICROCHIP/微芯NA

198589

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市宝芯创电子有限公司

9年 留言
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    陈佳鸿

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TPS2811DR

TI(德州仪器)SOIC-8

6000

22+

原装正品百分百现货库存!样品可出,买正品,认准宝芯创~

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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TI(德州仪器)SOIC-8

9990

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原装正品,支持实单

深圳市华睿芯科技有限公司

8年 留言
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    张经理

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TISOP8

20000

23+

原厂原装正品现货

深圳市芯福林电子科技有限公司

2年 留言
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TI/德州仪器SOIC-8

13880

21+

公司只售原装,支持实单

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    谢先生(本公司为一般纳税人,可开13%增值税发票,请放心采购)

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TISOP8

5549

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市天芯威科技有限公司

1年 留言
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    雷先生

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TISOP

30000

22+

原装正品

深圳市冠亿通科技有限公司

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    叶小姐/刘先生

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    深圳市福田中航路都会100大厦B座10Q

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Texas

25000

21+

原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

深圳市卓越微芯电子有限公司

10年 留言
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TISOP8

2130

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市卓越微芯电子有限公司

10年 留言
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TISOP8

2630

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TI(德州仪器)SOP8

7350

23+

现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!

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TPS2811DR功能描述:功率驱动器IC Inv Dual H-S MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

TPS2811DRG4功能描述:功率驱动器IC Inv Dual H-S MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    TPS2811DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,4V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    14ns,15ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC