选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
25 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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TI/BBSOIC-8 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
25 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TI?SOIC-8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
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TI8-SOIC |
23660 |
21+ |
TI/TMS系列,代理原装正品,假一赔十 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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TI23+ |
6517 |
22+ |
专注配单,只做原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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芯灿微(深圳)科技有限公司1年
留言
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TI/德州仪器SOP-8_150mil |
500000 |
22+ |
原装现货支持实单价优/含税 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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TISMD |
16944 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
2490 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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TISOP8 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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TI/德州仪器SOP-8_150mil |
3200 |
23+ |
强势库存!绝对原装公司现货! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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TISOP8 |
5620 |
22+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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博速半导体(深圳)有限公司1年
留言
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TI/德州仪器SOP-8_150mil |
6000 |
20+ |
全新原装 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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TI/德州仪器SOP-8 |
2342 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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TI/德州仪器SOIC-8 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TI?SOIC-8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
TPS1120D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TPS1120D图片
TPS1120DR价格
TPS1120DR价格:¥5.9073品牌:TI
生产厂家品牌为TI的TPS1120DR多少钱,想知道TPS1120DR价格是多少?参考价:¥5.9073。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TPS1120DR批发价格及采购报价,TPS1120DR销售排行榜及行情走势,TPS1120DR报价。
TPS1120DR中文资料Alldatasheet PDF
更多TPS1120D功能描述:MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPS1120DG4功能描述:MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPS1120DR功能描述:MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPS1120DRG4功能描述:MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube