| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 220 |
154951 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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ST/意法TO-220-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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STTO220 |
35250 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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ST/意法TO-220-3 |
31666 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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FSCTO-220 |
150 |
22+ |
长源创新-只做原装----假一赔十 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6005 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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ST/意法TO-220 |
85192 |
22+23+ |
代理假一罚十全新原装现货可送货 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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STTO-220 |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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STto220 |
6500 |
22+ |
只做原装正品.或订货假一赔十! |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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FSCT0220-3 |
34365 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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ST/意法TO220 |
50000 |
21+ |
只做原装,支持实单! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
4650 |
23+ |
绝对原装公司现货 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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STTO-220 |
27000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
6260 |
19+/20+ |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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200 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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STTO-220-3 |
8750 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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ST/意法to220 |
53200 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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TIP32C价格
TIP32C价格：￥0.8009品牌：STMICROELECTRONICS
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TIP32C中文资料Alldatasheet PDF
更多TIP32C功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32C119制造商:Harris Corporation
TIP32C-BP功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -100V -3A 40W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CTU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CTU_F129制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号：
TIP32C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP 100V 3A TO220
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
40
