选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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ST/意法TO-220 |
8279 |
21+19+ |
只做原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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SAMSUNG/三星TO-220 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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ST/意法TO-220 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
264 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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UTCTO220 |
6000 |
23/22+ |
20年老代理.原厂技术支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST(意法半导体)TO-220 |
942 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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ST/意法N |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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CJ/长电TO-220-3L |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ST意法半导体TO-220 |
72000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
留言
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ST/意法TO-220AB |
15000 |
21+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(意法半导体)TO-220 |
10000 |
21+ |
只做原装 假一赔万 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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STTO-220 |
8852 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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ONTO-220 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO220 |
12000 |
22+ |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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ST220 |
2600 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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STMicroelectronicsNA |
30000 |
22+ |
100%全新原装 假一赔十 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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STTO-220 |
25000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
TIP112采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TIP112图片
TIP112价格
TIP112价格:¥0.9355品牌:MULTICOMP
生产厂家品牌为MULTICOMP的TIP112多少钱,想知道TIP112价格是多少?参考价:¥0.9355。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TIP112批发价格及采购报价,TIP112销售排行榜及行情走势,TIP112报价。
TIP112资讯
TIP112 CJ/长电 TO-220-3L 支持原装长电订货型号,欢迎咨询!
TIP112CJ/长电TO-220-3L
TIP112中文资料Alldatasheet PDF
更多TIP112功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
TIP112-BP功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 2A 50W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP112F制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
TIP112F_07制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
TIP112G功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
TIP112G-T60-K制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112G-TA3-T制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112G-TN3-R制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112G-TN3-T制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112L-T60-K制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号:
TIP112
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.5V @ 8mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 1A,4V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
4A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,
- 最大耗散功率:
50W
- 放大倍数:
β>1000
- 图片代号:
B-10
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
50