| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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QORVOSMD |
300 |
17+ |
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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QorvoN/A |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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TRIQUINSMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳科宇泰科技有限公司4年
留言
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Qorvo标准封装 |
2500 |
19+ |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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QORVO原厂原封 |
500 |
22+ |
原装优势军工物料供应 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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Qorvo(威讯联合)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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TriQuinBGA |
19945 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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QORVOSMD |
300 |
17+ |
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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TRIQUINT |
1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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TRIQUINTNA |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ADISMD |
250 |
2018+ |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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QorvoQFN |
5500 |
2018+ |
Qorvo专营射频放大器原装正品假一赔十 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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QorvoN/A |
8000 |
23+ |
原厂正规渠道、进口原装正品价格合理 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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QORVON/A |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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QORVON/A |
6800 |
2021+ |
只有原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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Qorvo |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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Qorvo(威讯联合)Original |
50000 |
2335 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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Qorvo |
2700 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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TRIQUINT原包装 |
6300 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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TRIQUINTdie |
50 |
14+ |
TRIQUINT优势订货-军工器件供应商 |
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TGF2023图片
TGF2023-2-01价格
TGF2023-2-01价格：￥151.0701品牌：TriQuint
生产厂家品牌为TriQuint的TGF2023-2-01多少钱，想知道TGF2023-2-01价格是多少？参考价：￥151.0701。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，TGF2023-2-01批发价格及采购报价，TGF2023-2-01销售排行榜及行情走势，TGF2023-2-01报价。
TGF2023-2-05中文资料Alldatasheet PDF
更多TGF2023-01功能描述:射频GaAs晶体管 1.25mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
TGF2023-02功能描述:射频GaAs晶体管 2.5mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
TGF2023-05功能描述:射频GaAs晶体管 5.0mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
TGF2023-10功能描述:射频GaAs晶体管 10mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
TGF2023-20功能描述:射频GaAs晶体管 20mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
