| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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INTEL/英特尔TSOP56 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INTELTSOP-56 |
1276 |
21+ |
原装现货热卖 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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INTEL(英特尔)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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INTEL/英特尔TSOP56 |
23531 |
诚心经营 原盒原标 正品现货 价格美丽假一罚十 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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INTELTSSOP |
3783 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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INTEL/英特尔TSOP56 |
3430 |
08+ |
原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INTELTSOP56 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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INTELTSOP56 |
20000 |
23+ |
原厂原装,正品现货,假一罚十 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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INTELTSOP56 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INTELTSOP |
41459 |
23+ |
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INTEL原装存储芯片-诚信为本 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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INTEL(英特尔)标准封装 |
7198 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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INTELTSOP56 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INTELTSOP56 |
55000 |
2019 |
原装正品假一罚十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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INTELTSSOP56 |
25000 |
2018+ |
一级专营品牌全新原装热卖 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INTELTSOP56 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INTEL/英特尔NA/ |
3445 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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INTEL/英特尔TSSOP56 |
6985 |
2023+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INTELTSSOP56 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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INTELTSSOP |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ROCHESTER1 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
TE28F640J3D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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TE28F640J3D75E中文资料Alldatasheet PDF
更多TE28F640J3D75制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#872333 64M FLASH EOL300410 制造商:Intel 制造商:INTELC
TE28F640J3D-75制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory(J3 v. D)
TE28F640J3D75A功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
TE28F640J3D75B功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
TE28F640J3D75E制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Intel 制造商:Numonyx Memory Solutions
