| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOP-16-300mil |
940 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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MicrochipSOP16 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
8052 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳硅原半导体有限公司8年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
15680 |
2022+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 终生质保 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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MICROCHIP/微芯DIP8 |
30887 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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Microchip |
8800000 |
21+ |
原装正品现货/订货 价格优惠可开票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-16 |
9990 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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MicrochipSOP16 |
10000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC16300mil |
6000 |
23+ |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MicrochipTechnology原厂原装 |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOP16300mil |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
98000 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MROCHIP/微芯NA/ |
5200 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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MicrochipNA |
1899 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrochipN/A |
808 |
1940+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
10800 |
23+ |
只做原装 欢迎咨询 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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MicrochipSOIC |
57500 |
2021+ |
科研单位合格供应商!现货库存 |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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MicrochipSOP16 |
35689 |
22+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP16 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
TC4467EOE采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
TC4467EOE图片
TC4467EOE价格
TC4467EOE价格：￥24.4490品牌：Microchip
生产厂家品牌为Microchip的TC4467EOE多少钱，想知道TC4467EOE价格是多少？参考价：￥24.4490。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，TC4467EOE批发价格及采购报价，TC4467EOE销售排行榜及行情走势，TC4467EOE报价。
TC4467EOE中文资料Alldatasheet PDF
更多TC4467EOE功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
TC4467EOE
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.2A，1.2A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装：
16-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
