选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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MICROCHIP/微芯sopdipqfp |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP-8 |
949 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
4000 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市芯泽盛世科技有限公司2年
留言
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MICROCHIPPDIP |
20000 |
22+ |
原厂微芯渠道.全新原装! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
6528 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP8 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
65800 |
专业光耦 |
光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MNA/ |
3346 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrochipN/A |
808 |
1940+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP8 |
6000 |
23+ |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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Microc |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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MICROCHIP/微芯8-DIP |
35200 |
23+ |
只做原装主打品牌QQ询价有询必回 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MicrochipTechnology原厂原装 |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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MICROCHIPDIP8 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MICNA |
96 |
23+ |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP-8 |
499 |
2021+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MICDIP-8 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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MICROCHIP/微芯PDIP-8 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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TELCOMDIP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
TC4431CPA采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TC4431CPA图片
TC4431CPA价格
TC4431CPA价格:¥13.8915品牌:Microchip
生产厂家品牌为Microchip的TC4431CPA多少钱,想知道TC4431CPA价格是多少?参考价:¥13.8915。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TC4431CPA批发价格及采购报价,TC4431CPA销售排行榜及行情走势,TC4431CPA报价。
TC4431CPA中文资料Alldatasheet PDF
更多TC4431CPA功能描述:功率驱动器IC 1.5A Sngl 30V Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
TC4431CPA
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
高压侧或低压侧
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 30V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.5A,1.5A
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
25ns,33ns
- 工作温度:
0°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
8-PDIP
- 描述:
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP