选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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SOP |
31560 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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MICROCHIP原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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MICROCHIP/微芯SOP-8 |
35000 |
22+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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MICROCHIPSMD |
3715 |
2023+ |
原装现货热卖,安罗世纪电子只做原装 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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MICROCHIP原厂封装 |
8900 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Microchip(微芯)原厂原封 |
9000 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市冠亿通科技有限公司8年
留言
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5000 |
21+ |
只做原装 假一罚百 可开票 可售样 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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MICROCHIP/微芯N/A |
19900 |
21+ |
主打品牌,只做原装,询价必回 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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MICROCHIP原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司6年
留言
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MicrochipSOIC-8 |
30000 |
23+ |
全新原装正品 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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MICROCHIPSOP8 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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MICROCHIPSOP8 |
25630 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOP-8 |
977 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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MICROCHIPSOIC-8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-8_150mil |
29 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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Microchip(微芯)SOIC-8_150mil |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
TC4422AVOA采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TC4422AVOA图片
TC4422AVOA价格
TC4422AVOA价格:¥9.0860品牌:Microchip
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更多TC4422AVOA功能描述:功率驱动器IC 9A HI-SPEED MSFT DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4422AVOA713功能描述:功率驱动器IC 9A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
TC4422AVOA
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
10A,10A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
38ns,33ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC