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SZESD8006MUTAG电路保护TVS-二极管规格书PDF中文资料

SZESD8006MUTAG
厂商型号

SZESD8006MUTAG

参数属性

SZESD8006MUTAG 封装/外壳为10-UFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护 > TVS - 二极管;SZESD8006MUTAG应用范围:汽车,USB;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.5VC 8-UDFN

功能描述

ESD Protection Diode
TVS DIODE 3.3VWM 9.5VC 8-UDFN

文件大小

1.1933 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

SZESD8006MUTAG规格书详情

SZESD8006MUTAG属于电路保护 > TVS - 二极管。安森美半导体公司制造生产的SZESD8006MUTAGTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

产品属性

  • 产品编号:

    SZESD8006MUTAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    9.5V(标准)

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    16A

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车,USB

  • 不同频率时电容:

    0.32pF @ 1MHz(最大)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    8-UDFN(3.3x1.0)

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 9.5VC 8-UDFN

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